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研發成果 >> 專利

 

低溫生長二氧化矽層之方法 Low-temp SiO2 growth


二氧化矽薄膜具有良好的絕緣性能,目前廣泛作為場區絕緣與以及襯墊層用途。在矽晶圓上製作 Fin-FET 電晶體的過程,一般常用之方法包含 PECVD、APCVD 等沉積法,其缺點是需要使用矽烷、矽酸乙酯等危險氣體作為矽源以沉積二氧化矽。


 

 

 減少一道 CMP 製程


本發明最大特點是以 H2O2做水熱法(150 ℃)低溫生長二氧化矽,配合臭氧水之共振吸收 UV 波長,產生活性激態氧原子填補縫隙,不需高溫燒結即可得到緻密結晶,製程可大大降低反應溫度與設備成本。準劑量一樣的防曬能力。


 

 

新Fin transistor新Fin transistor